Nanotehnoloģiju pusvadītāju procesa ultraskaņas fotorezista izsmidzināšanas tehnoloģija

 

 

 

Nanotehnoloģiju pusvadītāju procesa ultraskaņas fotorezista izsmidzināšanas tehnoloģija ģenerē fotorezista pilienus, izmantojot augstas{0}}fotorezista vides mehāniskās vibrācijas, un pēc tam transportē tos uz substrātu caur nesējgāzi.
Galvenā prasība, lai nodrošinātu reproducējamu, uzticamu un piemērojamu fotolitogrāfijas tehnoloģisko zināšanu{0}}seku, ir vienmērīgi pārklāt pamatnes grīdu ar fotorezistu. Fotorezists parasti ir izkliedēts šķīdinātājos vai ūdens šķīdumos, un tas ir materiāls ar pārmērīgu viskozitāti. Saskaņā ar procesa prasībām kā fotorezista pārklājuma metodi parasti izvēlas ultraskaņas izsmidzināšanu.

 

 

 

 

 

1. Nevienmērīga izsmidzināšana

Iemesls:

Sprausla ir bloķēta vai nodilusi.

Ultraskaņas frekvence ir nestabila.

Izsmidzināmās drānas viskozitāte tagad nav piemērota.

Izšķirtspēja:

Notīriet vai nomainiet sprauslu.

Kalibrējiet ultraskaņas ģeneratoru.

Pielāgojiet materiāla viskozitāti.

2. Izsmidzināmās daļiņas ir pārāk masīvas vai pārāk mazas

Iemesls:

Nepareiza ultraskaņas parametru izvietošana.

Sprauslu diagramma vairs nav piemērota visprogresīvākajam materiālam.

Izšķirtspēja:

Pielāgojiet ultraskaņas frekvenci un jaudu.

Nomainiet lielisko sprauslu.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Populāri tagi: nanotehnoloģiju pusvadītāju procesa ultraskaņas fotorezista izsmidzināšanas tehnoloģija, Ķīnas nanotehnoloģiju pusvadītāju procesa ultraskaņas fotorezista izsmidzināšanas tehnoloģiju ražotāji, piegādātāji, rūpnīca